Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 104 W, 8-Pin SO-8

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

13,56 €

(ohne MwSt.)

16,135 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 40 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 452,712 €13,56 €
50 - 1202,548 €12,74 €
125 - 2452,306 €11,53 €
250 - 4952,17 €10,85 €
500 +2,036 €10,18 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
787-9367
Herst. Teile-Nr.:
SIRA00DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

147nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.12mm

Länge

6.25mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links