Vishay TrenchFET SIRA20BDP-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 335 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 228-2915
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRA20BDP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,673 € | 2.019,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 228-2915
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRA20BDP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 25-V-MOSFET.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 335 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 25 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,00058 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.1V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
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