Vishay SiR870BDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 81 A 100 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
204-7224
Herst. Teile-Nr.:
SiR870BDP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

81A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SiR870BDP

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

110nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.25mm

Breite

1.12 mm

Länge

5.26mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 100 V (D-S) MOSFET hat einen sehr niedrigen RDS x Qg-Leistungsfaktor (FOM) und ist auf den niedrigsten RDS x Qoss FOM abgestimmt.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

100 % Rg- und UIS-geprüft

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