Vishay SiHB17N80E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 15 A 208 W, 3-Pin SIHB17N80E-GE3 TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
SIHB17N80E-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SiHB17N80E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

290mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

208W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

122nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.83 mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

15.88mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie hat einen Ron x Qg mit niedrigem Leistungswert (FOM) und eine niedrige Eingangskapazität (Ciss).

Ultraniedrige Gatterladung (Qg)

Lawinenenergie (UIS)

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