Vishay SiHB125N60EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 25 A 179 W, 3-Pin TO-263

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204-7246
Herst. Teile-Nr.:
SIHB125N60EF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SiHB125N60EF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

179W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.06mm

Länge

14.61mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.65 mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET Vishay Serie EF mit schneller Gehäusediode hat eine Technologie der 4. Generation der E-Serie. Sie hat geringere Schalt- und Leitungsverluste.

Lawinenenergie (UIS)

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

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