Vishay EF N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 16 A 39 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 204-7248
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF068N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 68mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 39W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 10mm | |
| Länge | 28.6mm | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie EF | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 68mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 39W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 10mm | ||
Länge 28.6mm | ||
Höhe 4.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 600 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom 16 A – SIHF068N60EF-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für den Einsatz in Leistungsumwandlungs- und Steuerschaltkreisen entwickelt wurde, in denen eine robuste Spannungsverarbeitung und Durchsteckmontage erforderlich sind. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, die einen anhaltenden Ablassstrom und kontrollierte Gate-Drive-Eigenschaften erfordern. Er ist in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung für die herkömmliche Leiterplattenmontage erhältlich.
Merkmale und Vorteile:
• 600 V Ablassspannung für Hochspannungsschaltanwendungen
• 16 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Lasthandhabung
• 68 mΩ Rds(on), um Leitungsverluste zu reduzieren
• 51 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltsteuerung
• Maximale Verlustleistung von 39 W für die thermische Planung
• Gate-Toleranz von ±30 V zur Anpassung an unterschiedliche Gate-Treiber-Amplituden
• 16 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Lasthandhabung
• 68 mΩ Rds(on), um Leitungsverluste zu reduzieren
• 51 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltsteuerung
• Maximale Verlustleistung von 39 W für die thermische Planung
• Gate-Toleranz von ±30 V zur Anpassung an unterschiedliche Gate-Treiber-Amplituden
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Stromwandler und Wechselrichter
• Ideal für Hochspannungs-Motorantriebsstufen
• Wird für Stromversorgungen verwendet, die eine Durchsteckmontage erfordern
• Kann zum Schalten von Elementen in Beleuchtungssteuerungen verwendet werden
• Geeignet für Prüfanlagen und die Reparatur älterer Hardware
• Ideal für Hochspannungs-Motorantriebsstufen
• Wird für Stromversorgungen verwendet, die eine Durchsteckmontage erfordern
• Kann zum Schalten von Elementen in Beleuchtungssteuerungen verwendet werden
• Geeignet für Prüfanlagen und die Reparatur älterer Hardware
Welche extremen Temperaturen kann er während des Betriebs tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen.
Wie hilft das Gehäuse bei der Wärmemanagement auf einer belegten Platine?
Das TO-220-Durchsteckformat ermöglicht die Befestigung eines Kühlkörpers an seiner freiliegenden Lasche und ermöglicht eine verbesserte Verlustleistung von bis zu 39 W bei ordnungsgemäßer Montage.
Welche Gate-Drive-Bedenken sind für die Schaltleistung erforderlich?
Das Design sollte die Gate-Ladung von 51 nC berücksichtigen, wenn die Treiber so dimensioniert werden, dass die gewünschten Anstiegs-/Abfallzeiten und Schaltverluste bei den Zielfrequenzen erreicht werden.
Welche Art von Kanal und Leitungsmodus wird verwendet?
Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät, das im Enhancement-Modus arbeitet und für die Leitung einen positiven Gate-Source-Antrieb benötigt.