Vishay EF N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 850 V / 6.5 A 34 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 239-8622
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHA17N80AEF-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 850V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.305Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 34W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 850V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie EF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.305Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 34W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 850 V maximale Drain-Source-Spannung, 6,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SiHA17N80AEF-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er wird in einem TO-220-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, und unterstützt erweiterte Betriebstemperaturen, wodurch er sich für Anwendungen eignet, die einen breiten Temperaturbereich und Robustheit in Automobilqualität erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 850 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 6.5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• 0.305 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• 63 nC typische Gate-Ladung senkt den Schaltenergiebedarf
• Maximale Verlustleistung von 34 W bewältigt thermische Belastungen im Betrieb
• Betriebsbereich von -55 °C bis +150 °C hält extremen Temperaturen stand
• 6.5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• 0.305 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• 63 nC typische Gate-Ladung senkt den Schaltenergiebedarf
• Maximale Verlustleistung von 34 W bewältigt thermische Belastungen im Betrieb
• Betriebsbereich von -55 °C bis +150 °C hält extremen Temperaturen stand
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter
• Ideal für die Automobilelektronik, die die AEC-Q101-Anforderungen erfüllt
• Einsatz mit industriellen Motorantrieben, die ein robustes Schalten erfordern
• Kann für SMPS-Stufen zur Handhabung von Hochspannungsschienen verwendet werden
• Wird für die Stromschaltung in Schnittstellen für erneuerbare Energien verwendet
• Ideal für die Automobilelektronik, die die AEC-Q101-Anforderungen erfüllt
• Einsatz mit industriellen Motorantrieben, die ein robustes Schalten erfordern
• Kann für SMPS-Stufen zur Handhabung von Hochspannungsschienen verwendet werden
• Wird für die Stromschaltung in Schnittstellen für erneuerbare Energien verwendet
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen für einen sicheren Betrieb eingehalten werden?
Das Gerät darf eine Gate-Source-Spannung von 30 V nicht überschreiten, um eine Gate-Oxid-Befestigung zu verhindern.
Wie wirkt sich die Verpackung auf die thermische Handhabung aus?
Das TO-220-Gehäuse ermöglicht eine effektive Kühlung und unterstützt bei ordnungsgemäßer Montage die angegebene Verlustleistung von 34 W.
Welche Kanalcharakteristiken beeinflussen die Wahl der Schaltungstopologie?
Als N-Kanal-Depletion-Modus-Gerät leitet es ohne Gate-Antrieb und erfordert Gate-Bias-Strategien zur Steuerung des Aus-Zustands-Verhaltens.
Ist das Gerät für geregelte Automobilumgebungen geeignet?
Er entspricht den AEC-Q101-Standards für die Automobilindustrie und ist für erweiterte Temperaturgrenzen spezifiziert, um die Anforderungen von Fahrzeugsystemen zu erfüllen.