Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 850 V / 6.5 A 33 W, 3-Pin SiHA17N80AEF-GE3 TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
SiHA17N80AEF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

850V

Serie

EF

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.31Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

47nC

Maximale Verlustleistung Pd

33W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Serie EF von Vishay ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller Gehäusediode. Dieser MOSFET wird für Server- und Telekommunikationsnetzteile, Schweißen und Motorantriebe verwendet.

Geringe Leistungsanzeige

Niedrige effektive Kapazität

Niedrige Schalt- und Leitungsverluste

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