Vishay SiHP068N60EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 41 A 250 W, 3-Pin SIHP068N60EF-GE3 TO-220

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204-7256
Herst. Teile-Nr.:
SIHP068N60EF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

41A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

SiHP068N60EF

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

68mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

27.69mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.96 mm

Höhe

4.24mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET Vishay Serie EF mit schneller Gehäusediode hat eine Technologie der 4. Generation der E-Serie. Sie hat geringere Schalt- und Leitungsverluste.

Lawinenenergie (UIS)

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

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