Vishay E Series SIHP065N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 40 A 250 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 134-9170
Herst. Teile-Nr.:: SIHP065N60E-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E Series SIHP065N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 40 A 250 W, 3-Pin TO-220AB

Voraussichtlich ab 04.11.2025 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer Stange von 50)

4,524 €

(ohne MwSt.)

5,384 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 - 50	4,524 €	226,20 €
100 +	4,298 €	214,90 €

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RS Best.-Nr.:: 134-9170
Herst. Teile-Nr.:: SIHP065N60E-GE3
Marke:: Vishay

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, E-Serie, Niedriger Gütefaktor, Vishay Semiconductor

Die Leistungs-MOSFETs der Serie E von Vishay umfassen Hochspannungs-Transistoren mit einem ultraniedrigen maximalen Widerstand und niedrigem Gütefaktor und ermöglichen schnelles Schalten. Sie sind in zahlreichen Nennströmen erhältlich. Typische Anwendungen umfassen Server und Stromversorgung für die Telekommunikation, LED-Beleuchtung, Sperrwandler, Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und Schaltnetzteile (SMPS).

Merkmale

Niedriger Gütefaktor (FOM), niedriger RDS(ein) x Qg
Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
Niedriger Widerstand (RDS(ein))
Ultraniedrige Gatterladung (Qg)
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	40 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Serie	E Series
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	65 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	250 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	10.51mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	49 nC @ 10 V
Breite	4.65mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	15.49mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V