onsemi NTMFS006N08MC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 32 A 78 W, 8-Pin NTMFS006N08MC PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 205-2425
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS006N08MC
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 32A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | NTMFS006N08MC | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 78W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.1mm | |
| Breite | 5.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 32A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie NTMFS006N08MC | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 78W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.1mm | ||
Breite 5.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 150-V-N-Kanal-MV-MOSFET der on Semiconductor Power Trench Serie wird mit Advanced Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.
Max. RDS(on) = 11,5 MOhm bei VGS beträgt 10 V, ID 35 A.
Geringer Leitungsverlust
Max. RDS(on) ist 13,2 MOhm bei VGS ist 8 V, ID ist 18 A.
50 % geringerer Qrr als andere Mosfet-Lieferanten
Verringert Schaltgeräusche/elektromagnetische Störungen
MSL1 robustes Gehäusedesign
100 % UIL-geprüft