onsemi Power N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 150 A 46 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 205-2432
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFS1D8N02P1E
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | Power | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 46W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 700μm | |
| Breite | 3.2mm | |
| Länge | 3.2mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie Power | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 46W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 700μm | ||
Breite 3.2mm | ||
Länge 3.2mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 25-V-N-Kanal-MOSFET der on Semiconductor Power33-Serie wird mit Advanced Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.
Der maximale Drain-Nennstrom beträgt 150 A.
Der Widerstand zwischen Ablass und Quelle beträgt 1,3 MOhm
Kleine Abmessungen für kompakte Bauweise
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
100 % UIL-geprüft
Gehäuse ist Power 33 (PQFN8)