- RS Best.-Nr.:
- 205-2459
- Herst. Teile-Nr.:
- NTP5D0N15MC
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der on Semiconductor-MOSFET mit geschirmtem Gate-LeistungsTrench-N-Kanal hat eine Nennspannung von 150 V in Abfluss zur Quelle und einen Dauerstromstrom von 139 A. Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform.
Der Widerstand zwischen Drain und Quelle bei eingeschaltetem Zustand beträgt 5,0 MOhm
50 % geringerer Qrr als andere MOSFET-Lieferanten
Niedriges Schaltgeräusch/EMI
100 % UIL-geprüft
50 % geringerer Qrr als andere MOSFET-Lieferanten
Niedriges Schaltgeräusch/EMI
100 % UIL-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 139 A |
Drain-Source-Spannung max. | 150 V |
Gehäusegröße | TO-220 |
Serie | PowerTrench |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 5 mΩ |
Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
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