onsemi SUPERFET III NTP360N80S3Z N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 800 V / 13 A, 3-Pin TO-220

Der on Semiconductor SuperFET III N-Kanal-800-V-MOSFET ist für den primären Schalter des Flyback-Wandlers optimiert und ermöglicht dank seines optimierten Designs geringere Schaltverluste und Gehäusetemperatur ohne Einbußen bei der EMI-Leistung. Darüber hinaus verbessert die interne Zenerdiode die ESD-Fähigkeit erheblich. Diese neue Familie ermöglicht effizientere, kompaktere, kühlere und robustere Anwendungen aufgrund ihrer bemerkenswerten Leistung in Schaltnetzanwendungen wie Laptop-Adapter, Audio, Beleuchtung, ATX-Stromversorgung und industriellen Netzteilen.

Der Dauerablassstrom beträgt 13 A
Der Ablass zur Quelle bei einem Widerstand beträgt 360 MOhm
Extrem niedrige Gate-Ladung
Niedrige gespeicherte Energie in der Ausgangskapazität
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Gehäusetyp ist TO-220