onsemi SUPERFET III N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 800 V / 13 A 31 W, 3-Pin TO-220

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205-2506P
Herst. Teile-Nr.:
NTPF360N80S3Z
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

SUPERFET III

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

360mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

31W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25.3nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

9.96mm

Höhe

4.5mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

28.45mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor SuperFET III N-Kanal-800-V-MOSFET ist für den primären Schalter des Flyback-Wandlers optimiert und ermöglicht dank seines optimierten Designs geringere Schaltverluste und Gehäusetemperatur ohne Einbußen bei der EMI-Leistung. Darüber hinaus verbessert die interne Zenerdiode die ESD-Fähigkeit erheblich. Diese neue Familie ermöglicht effizientere, kompaktere, kühlere und robustere Anwendungen aufgrund ihrer bemerkenswerten Leistung in Schaltnetzanwendungen wie Laptop-Adapter, Audio, Beleuchtung, ATX-Stromversorgung und industriellen Netzteilen.

Der Dauerablassstrom beträgt 13 A

Der Ablass zur Quelle bei einem Widerstand beträgt 360 MOhm

Extrem niedrige Gate-Ladung

Niedrige gespeicherte Energie in der Ausgangskapazität

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Gehäusetyp ist TO-220F.

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