DiodesZetex Doppelt DMN3061 Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 3.4 A 1.08 W, 6-Pin TSOT

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RS Best.-Nr.:
206-0081
Herst. Teile-Nr.:
DMN3061SVT-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

DMN3061

Gehäusegröße

TSOT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

200mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.08W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.7V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.6 mm

Länge

2.9mm

Höhe

0.9mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der zweifache N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 30 V wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 0,88 W Wärmeverlustleistung.

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

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