DiodesZetex DMT616 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 10 A 1.39 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
206-0156
Herst. Teile-Nr.:
DMT616MLSS-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

DMT616

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

21mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13.6nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

1.39W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.85mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.4mm

Länge

5.9mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 60 V, wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 1,39 W Wärmeverlustleistung.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Niedrige Eingangskapazität

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