DiodesZetex DMT616 DMT616MLSS-13 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 10 A, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 206-0157
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT616MLSS-13
- Marke:
- DiodesZetex
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Preis pro Stück (In einer VPE à 25)
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,372 € | 9,30 € |
| 50 - 75 | 0,363 € | 9,075 € |
| 100 - 225 | 0,318 € | 7,95 € |
| 250 - 975 | 0,31 € | 7,75 € |
| 1000 + | 0,303 € | 7,575 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 206-0157
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT616MLSS-13
- Marke:
- DiodesZetex
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Der 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 60 V, wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 1,39 W Wärmeverlustleistung.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Niedrige Eingangskapazität
Niedrige Eingangskapazität
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 10 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | SO-8 |
| Serie | DMT616 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,021 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.2V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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