STMicroelectronics STO67N60DM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 33 A 150 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
206-6067
Herst. Teile-Nr.:
STO67N60DM6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

STO67N60DM6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

59mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

72.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

11.48mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.8 mm

Höhe

2.2mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen Erholungs-Diodenserie MDmesh DM6. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler verfügbar ist.

Gehäusediode mit schneller Erholung

Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation

Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Extrem hohe dv/dt-Robustheit

Zenerdioden-geschützt

Ausgezeichnete Schaltleistung dank des zusätzlichen Treiber-Quellstifts

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