Toshiba TK090N65Z Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 230 W, 3-Pin TK090N65Z,S1F(S TO-247

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RS Best.-Nr.:
206-9725
Herst. Teile-Nr.:
TK090N65Z,S1F(S
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

TK090N65Z

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

90mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

47nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Durchlassspannung Vf

-1.7V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

5.02mm

Länge

40.02mm

Breite

15.94 mm

Automobilstandard

Nein

Der Toshiba Silizium-N-Kanal-MOSFET verfügt über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit geringerer Kapazität. Er wird hauptsächlich in Schaltnetzteilen verwendet.

Niedriger Durchlasswiderstand der Drain-Quelle 0,075?

Lagertemperatur: -55 bis 150 °C.

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