Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 8.4 A 33 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 210-4962
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHA186N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
117,00 €
(ohne MwSt.)
139,00 €
(inkl. MwSt.)
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,34 € | 117,00 € |
| 100 - 200 | 2,20 € | 110,00 € |
| 250 - 450 | 1,989 € | 99,45 € |
| 500 + | 1,872 € | 93,60 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 210-4962
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHA186N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 168mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 28.1mm | |
| Höhe | 4.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie EF | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 168mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 28.1mm | ||
Höhe 4.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET Vishay Serie EF mit schneller Gehäusediode hat einen Thin-Lead TO-220 FULLPAK-Gehäusetyp.
Technologie der 4. Generation der E-Serie
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Lawinenenergie (UIS)