Vishay SiSS30ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 54,7 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

RS Best.-Nr.:: 210-5011
Herst. Teile-Nr.:: SiSS30ADN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SiSS30ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 54,7 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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10 - 90	0,82 €	8,20 €
100 - 240	0,804 €	8,04 €
250 - 490	0,632 €	6,32 €
500 - 990	0,524 €	5,24 €
1000 +	0,457 €	4,57 €

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RS Best.-Nr.:: 210-5011
Herst. Teile-Nr.:: SiSS30ADN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Datasheet - SiSS30ADN-T1-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	54,7 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8S
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,0074 Ω
Gate-Schwellenspannung max.	2 → 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay SiSS30ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 54,7 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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