Vishay SQJ146ELP Typ N, Typ N-Kanal, Oberfläche, SMD MOSFET 40 V Erweiterung / 88 A 75 W, 4-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 210-5041
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ146ELP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,806 € | 8,06 € |
| 100 - 240 | 0,791 € | 7,91 € |
| 250 - 490 | 0,684 € | 6,84 € |
| 500 - 990 | 0,524 € | 5,24 € |
| 1000 + | 0,403 € | 4,03 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 210-5041
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ146ELP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 88A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SQJ146ELP | |
| Montageart | Oberfläche, SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 75W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.25mm | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 88A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SQJ146ELP | ||
Montageart Oberfläche, SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 75W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.25mm | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET hat einen PowerPAK SO-8L Gehäusetyp mit 88 A Ablassstrom.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
AEC-Q101 qualifiziert
100 % Rg- und UIS-geprüft