Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 75 A 66 W, 8-Pin SQJA76EP-T1_GE3 SO-8

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RS Best.-Nr.:
178-3916
Herst. Teile-Nr.:
SQJA76EP-T1_GE3
Marke:
Vishay Siliconix
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Marke

Vishay Siliconix

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

66nC

Maximale Verlustleistung Pd

66W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.07mm

Länge

5.99mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
TrenchFET® Leistungs-MOSFET

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