Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 24.5 A 55 W, 8-Pin SQJ872EP-T1_GE3 SO-8

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RS Best.-Nr.:
178-3903
Herst. Teile-Nr.:
SQJ872EP-T1_GE3
Marke:
Vishay Siliconix
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Marke

Vishay Siliconix

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

55W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

5.99mm

Breite

5 mm

Höhe

1.07mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
TrenchFET® Leistungs-MOSFET

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