Vishay Siliconix SQJ872EP Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 24.5 A 55 W, 8-Pin SO-8L
- RS Best.-Nr.:
- 178-3903
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
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- 178-3903
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | SQJ872EP | |
| Gehäusegröße | SO-8L | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0395Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 55W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 5mm | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Länge | 5.99mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie SQJ872EP | ||
Gehäusegröße SO-8L | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0395Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 55W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 5mm | ||
Höhe 1.07mm | ||
Länge 5.99mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET der Serie SQJ872EP von Vishay Siliconix, 150 V Drain-Source-Spannung, 24,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SQJ872EP-T1_GE3
Merkmale und Vorteile:
• 24,5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 0,0395 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste für verbesserte Effizienz
• 14 nC typische Gate-Ladung sorgt für reaktionsschnelles Schaltverhalten
• Die Verlustleistung von 55 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Gate-Drive-Spannungen
Anwendungen
• Ideal für DC/DC-Wandler in industriellen Automatisierungssystemen
• Wird für Motorantriebsstufen in elektrischen und mechanischen Geräten verwendet
• Kann zum Schalten der Stromversorgung in Telematik- und Steuereinheiten verwendet werden
Welche Befestigungsmethode sollte für eine zuverlässige Montage verwendet werden?
Wie verhält sich das Gerät bei weiten Temperatur extremen Bedingungen?
Welche Eigenschaften beeinflussen Schaltverluste am unmittelbarsten?
Wie viele Stifte sind für Schaltkreisanschlüsse verfügbar?
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