Vishay Siliconix Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 6 A 27.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

19,50 €

(ohne MwSt.)

23,25 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Wird eingestellt
  • Letzte 2.975 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 750,78 €19,50 €
100 - 4750,663 €16,58 €
500 - 9750,584 €14,60 €
1000 +0,507 €12,68 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
178-3956
Herst. Teile-Nr.:
SQS944ENW-T1_GE3
Marke:
Vishay Siliconix
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay Siliconix

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

27.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.82V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Höhe

1.07mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.15mm

Breite

3.15 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
TrenchFET® Leistungs-MOSFET

Verwandte Links