Vishay Siliconix TrenchFET SQS944ENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

RS Best.-Nr.:: 178-3726
Herst. Teile-Nr.:: SQS944ENW-T1_GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET SQS944ENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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RS Best.-Nr.:: 178-3726
Herst. Teile-Nr.:: SQS944ENW-T1_GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	6 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Serie	TrenchFET
Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	40 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1.5V
Verlustleistung max.	27,8 W
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Breite	3.15mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Gate-Ladung typ. @ Vgs	11,5 nC @ 10 V
Länge	3.15mm
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	1.07mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Automobilstandard	AEC-Q101
Diodendurchschlagsspannung	1.1V

Vishay Siliconix TrenchFET SQS944ENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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