Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 24,5 A 55 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

RS Best.-Nr.:: 178-3721
Herst. Teile-Nr.:: SQJ872EP-T1_GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 24,5 A 55 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

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RS Best.-Nr.:: 178-3721
Herst. Teile-Nr.:: SQJ872EP-T1_GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	24,5 A
Drain-Source-Spannung max.	150 V
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8L
Serie	TrenchFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	80 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3.5V
Verlustleistung max.	55 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	5mm
Länge	5.99mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	14 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Automobilstandard	AEC-Q101
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	1.07mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 24,5 A 55 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

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