Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 9.4 A 68 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

1.818,00 €

(ohne MwSt.)

2.163,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 9.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,606 €1.818,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
178-3718
Herst. Teile-Nr.:
SQJ431AEP-T1_GE3
Marke:
Vishay Siliconix
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay Siliconix

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

760mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

5.99mm

Breite

5 mm

Höhe

1.07mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
TrenchFET® Leistungs-MOSFET

Verwandte Links