Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 9.4 A 68 W, 8-Pin SQJ431AEP-T1_GE3 SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 178-3873P
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ431AEP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
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- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ431AEP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 760mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Breite | 5 mm | |
| Länge | 5.99mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 760mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.07mm | ||
Breite 5 mm | ||
Länge 5.99mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
TrenchFET® Leistungs-MOSFET