Vishay TrenchFET SQJ211ELP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33,6 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- RS Best.-Nr.:
- 228-2959
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ211ELP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Vishay TrenchFET-KFZ-P-Kanal ist ein 100-V-Leistungs-MOSFET.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 33,6 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8L |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 4 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,03 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
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