Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 33.6 A 68 W, 4-Pin SQJ211ELP-T1_GE3 SO-8

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RS Best.-Nr.:
228-2959
Herst. Teile-Nr.:
SQJ211ELP-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

30mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Durchlassspannung Vf

-0.82V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Vishay TrenchFET-KFZ-P-Kanal ist ein 100-V-Leistungs-MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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