Vishay Siliconix TrenchFET SQJ415EP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 30 A 45 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

RS Best.-Nr.:: 178-3717
Herst. Teile-Nr.:: SQJ415EP-T1_GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET SQJ415EP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 30 A 45 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

Voraussichtlich ab 06.02.2025 verfügbar.

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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)

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3000 +	0,35 €	1.050,00 €

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RS Best.-Nr.:: 178-3717
Herst. Teile-Nr.:: SQJ415EP-T1_GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	30 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8L
Serie	TrenchFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	20 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1.5V
Verlustleistung max.	45 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	63 nC @ 10 V
Länge	5.99mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	5mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	1.07mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Automobilstandard	AEC-Q101

Vishay Siliconix TrenchFET SQJ415EP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 30 A 45 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

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