Vishay Siliconix TrenchFET SQJ431AEP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 9,4 A 68 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- RS Best.-Nr.:
- 178-3873
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ431AEP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 9,4 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8L |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 4 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 760 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V |
| Verlustleistung max. | 68 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Länge | 5.99mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 5mm |
| Höhe | 1.07mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Automobilstandard | AEC-Q101 |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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