Vishay Siliconix TrenchFET SQJ415EP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 30 A 45 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

RS Best.-Nr.:: 178-3859
Herst. Teile-Nr.:: SQJ415EP-T1_GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET SQJ415EP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 30 A 45 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

Voraussichtlich ab 06.02.2025 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 25)

0,694 €

(ohne MwSt.)

0,826 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
25 - 75	0,694 €	17,35 €
100 - 475	0,675 €	16,875 €
500 - 975	0,656 €	16,40 €
1000 +	0,64 €	16,00 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 178-3859
Herst. Teile-Nr.:: SQJ415EP-T1_GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	30 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Serie	TrenchFET
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8L
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	20 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1.5V
Verlustleistung max.	45 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Länge	5.99mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	63 nC @ 10 V
Breite	5mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Automobilstandard	AEC-Q101
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.07mm

Vishay Siliconix TrenchFET SQJ415EP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 30 A 45 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

Verwandte Produkte