Vishay Siliconix TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 30 A 45 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

RS Best.-Nr.:: 178-3859
Herst. Teile-Nr.:: SQJ415EP-T1_GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 30 A 45 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

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RS Best.-Nr.:: 178-3859
Herst. Teile-Nr.:: SQJ415EP-T1_GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	30 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Serie	TrenchFET
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8L
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	20 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1.5V
Verlustleistung max.	45 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Breite	5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	63 nC @ 10 V
Länge	5.99mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Automobilstandard	AEC-Q101
Höhe	1.07mm

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