Vishay SQJ150EP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 66 A 65 W, 4-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
210-5045
Herst. Teile-Nr.:
SQJ150EP-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

66A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SQJ150EP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

65W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.1mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.25mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Vishay Automotive N-Kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET hat ein PowerPAK SO-8L-Gehäuse mit 66 A Ableitstrom.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

AEC-Q101-qualifiziert

100 % Rg- und UIS-geprüft

QGD/QGS-Verhältnis < 1 optimiert die Schalteigenschaften

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