DiodesZetex DMN61D9U Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 380 mA 540 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 213-9193
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN61D9UT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 200 Stück)*
29,20 €
(ohne MwSt.)
34,80 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 4.800 Einheit(en) mit Versand ab 16. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | 0,146 € | 29,20 € |
| 400 - 600 | 0,143 € | 28,60 € |
| 800 - 1000 | 0,13 € | 26,00 € |
| 1200 + | 0,117 € | 23,40 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 213-9193
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN61D9UT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 380mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | DMN61D9U | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 540mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 380mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie DMN61D9U | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 540mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex MOSFET der Serie DBN61D9U wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen macht.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Verwandte Links
- DiodesZetex DMN61D9U Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex 2N7002 Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN53D0L Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex 2N7002 Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN65D8L Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex 2N7002 Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
