Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 64 A 46 W, 8-Pin SuperSO

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)*

16,34 €

(ohne MwSt.)

19,44 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 30 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 4.440 Einheit(en) mit Versand ab 09. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
15 - 601,089 €16,34 €
75 - 1351,036 €15,54 €
150 - 3600,991 €14,87 €
375 - 7350,948 €14,22 €
750 +0,881 €13,22 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-4323
Herst. Teile-Nr.:
BSC065N06LS5ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

64A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SuperSO

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.2mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

46W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.35mm

Breite

6.1mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.2mm

Automobilstandard

Nein

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 64 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC065N06LS5ATMA1


Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Halbleitergerät, das für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich für anspruchsvolle Umgebungen und wird in einem 8-poligen SuperSO-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für dichte Leiterplattenlayouts geeignet ist. Das Gerät unterstützt Mittelspannungs-Leistungsumwandlungsaufgaben, bei denen schnelles Schalten und geringe Leitungsverluste erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:


• Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 9.2 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 64 A ermöglicht die Handhabung schwerer Lasten
• Die Drain-Source-Nennspannung von 60 V unterstützt Mittelspannungssysteme
• Gate-Charge 10 nC ermöglicht schnelle Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 46 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsübertragung
• Gate-Source-Beständigkeit von 20 V für gängige Gate-Drive-Spannungen

Anwendungsbereich


• Geeignet für synchrone Abwärtswandler in Stromversorgungen
• Ideal für Motorantriebsstufen in industriellen Steuerungen
• Wird mit Batteriemanagement-Schaltkreisen für Hochstromschaltungen verwendet
• Kann für DC/DC-Wandler in Telekommunikationsgeräten verwendet werden
• Geeignet für Server- und Computer-Leistungsregelungsplatinen

Welchen thermischen Extremen kann er während des Betriebs standhalten?


Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C spezifiziert und ermöglicht den Einsatz sowohl in Umgebungen mit Kaltstart als auch mit hohen Temperaturen.

Wie unterstützt das Gehäuse die Leiterplattenmontage und das Layout?


Das oberflächenmontierbare SuperSO-Format mit einer 8-poligen Grundfläche erleichtert die automatische Platzierung und konservative Wärmewege für die Kühlung von Lötplatten.

Welches Schaltverhalten können Entwickler bei Gate-Antrieben erwarten?


Mit einer typischen Gate-Ladung von 10 nC sind Schaltübergänge schnell und die Gate-Treiber-Stromanforderungen für die meisten Treiber-ICs moderat.

Wie eignet sich das Gerät für Hochstromanwendungen auf kompakten Leiterplatten?


Die Kombination aus einer Dauerstrombelastbarkeit von 64 A und einem geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand ermöglicht es Entwicklern, erhebliche Stromstärken auf begrenztem Platzangebot auf der Leiterplatte zu liefern und gleichzeitig I2R-Verluste zu begrenzen.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.