Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 64 A 46 W, 8-Pin SuperSO
- RS Best.-Nr.:
- 214-4323
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC065N06LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)*
16,335 €
(ohne MwSt.)
19,44 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 30 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 4.440 Einheit(en) mit Versand ab 17. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,089 € | 16,34 € |
| 75 - 135 | 1,036 € | 15,54 € |
| 150 - 360 | 0,991 € | 14,87 € |
| 375 - 735 | 0,948 € | 14,22 € |
| 750 + | 0,881 € | 13,22 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4323
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC065N06LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 64A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.2mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 46W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.2mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 46W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon OptiMOS MOSFET ist für Hochleistungs-SMPS optimiert Und es ist zu 100 % Avalanche-geprüft
Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO