Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 250 V / 24 A 150 W, 8-Pin SuperSO

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RS Best.-Nr.:
217-2483
Herst. Teile-Nr.:
BSC670N25NSFDATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

SuperSO

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

67mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5.49 mm

Länge

6.35mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS TM Fast Diode (FD) 200 V, 250 V und 300 V ist für die harte Kommutierung der Gehäusediode optimiert. Diese Geräte sind die perfekte Wahl für harte Schaltanwendungen wie Telekommunikation, industrielle Netzteile, Audioverstärker der Klasse D, Motorsteuerung und DC/AC-Wechselrichter.

N-Kanal, normale

175 °C ausgelegt

Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM)

Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)

Bleifreie Leitungsbeschichtung

RoHS-konform

Zugelassen gemäß JEDEC1) für Zielanwendung

Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21

Ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung

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