Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 87 A 139 W, 8-Pin SuperSO
- RS Best.-Nr.:
- 214-4325
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC093N15NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 87A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.3mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 139W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Breite | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 87A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.3mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 139W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.2mm | ||
Breite 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS 5 Serie MOSFET, 150 V maximale Drain-Source-Spannung, 87 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC093N15NS5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung und -umwandlung in kompakten oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die hohe Strombelastbarkeit und effizientes Schalten bei flachen Leiterplatten-Layouts erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 150 V Drain-to-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsbetrieb
• Maximale Rds(on) von 9.3 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 87 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Lastströme
• Die typische Gate-Ladung von 10 nC ermöglicht schnelle Schaltübergänge
• 139 W maximale Verlustleistung steuert die thermische Belastung
• Maximale Rds(on) von 9.3 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 87 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Lastströme
• Die typische Gate-Ladung von 10 nC ermöglicht schnelle Schaltübergänge
• 139 W maximale Verlustleistung steuert die thermische Belastung
Anwendungsbereich
• Geeignet für Schaltstufen von DC/DC-Wandlern
• Ideal für Hochstrom-Stromverteilungsmodule
• Einsatz mit Schaltnetzteilen in industriellen Systemen
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Leistungswandlern verwendet werden
• Ideal für Hochstrom-Stromverteilungsmodule
• Einsatz mit Schaltnetzteilen in industriellen Systemen
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Leistungswandlern verwendet werden
Welche Gehäusetypen sollte ich für die automatisierte Montage erwarten?
Er wird in einem oberflächenmontierten SuperSO-Gehäuse geliefert, das mit Standard-Pick-and-Place- und Reflow-Prozessen kompatibel ist.
Inwiefern hängt die thermische Leistung von den Umgebungsbedingungen ab?
Das Gerät kann unter spezifiziertem Wärmemanagement bis zu 139 W ableiten
Die tatsächliche Verlustleistung hängt vom Leiterplatten-Kupfer, dem Kühlkörper und der Umgebungstemperatur ab.
Welche Einschränkungen bei der Gate-Ansteuerung sind zu berücksichtigen?
Die Gate-zu-Quelle-Toleranz beträgt ±20 V, sodass die Gate-Antriebsspannungen innerhalb dieser Grenze bleiben müssen, um Schäden zu vermeiden.
Welchen Umgebungstemperaturbereich kann das Gerät tolerieren?
Es ist spezifiziert für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C Sperrschichttemperatur für eine Vielzahl von Bedingungen.
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