Infineon OptiMOS 2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.5 A 0.5 W, 6-Pin US

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RS Best.-Nr.:
214-4333
Herst. Teile-Nr.:
BSD214SNH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

US

Serie

OptiMOS 2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

250mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

0.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.8nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.02mm

Höhe

1mm

Breite

1.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon OptiMOS2 Kleinsignal-Transistor ist gemäß AEC Q101 zugelassen.

N-Kanal

Enhancement-Modus

Super Logic-Pegel (2,5 V Nennspannung)

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