Infineon BSD235C Typ N, Typ P-Kanal 2, SMD MOSFET 20 V Erweiterung / 950 mA 0.5 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 250-0523
- Herst. Teile-Nr.:
- BSD235CH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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- BSD235CH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 950mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | US | |
| Serie | BSD235C | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 1.20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 950mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße US | ||
Serie BSD235C | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 1.20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der BSD235C-Serie von Infineon, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 0,95 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSD235CH6327XTSA1
Dieser MOSFET ist ein Dual-Enhancement-Modus-Transistor, der für kompakte Anwendungen in Automobilqualität entwickelt wurde. Es integriert sowohl N-Kanal- als auch P-Kanal-Elemente auf einem einzigen Chip in einem 6-poligen SOT-363-Gehäuse und ermöglicht damit Schalt- und Signalausgaben mit geringem Platzbedarf. Das Gerät ist spezifiziert für den Betrieb in einem breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist, und entspricht den Materialbeschränkungen der Umwelt.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Ablassquellenspannung von 20 V ermöglicht Niederspannungs-Schaltfunktionen
• 0.95 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Stromlasten
• Die Gate-Source-Nennleistung von 1,2 V ermöglicht den Betrieb mit Niederspannungs-Gate-Antrieben
• Die Verlustleistung von 0,5 W ermöglicht eine kompakte thermische Budgetsierung
• Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C ermöglicht eine hohe Umgebungstemperatur
• 0.95 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Stromlasten
• Die Gate-Source-Nennleistung von 1,2 V ermöglicht den Betrieb mit Niederspannungs-Gate-Antrieben
• Die Verlustleistung von 0,5 W ermöglicht eine kompakte thermische Budgetsierung
• Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C ermöglicht eine hohe Umgebungstemperatur
Anwendungsbereich
• Geeignet für das Schalten von Lasten in Kraftfahrzeugen bei beengten Platzverhältnissen
• Ideal für komplementäre Push-Pull-Signalstufen
• Wird mit Niederspannungs-Steuerlogik für die Gate-Ansteuerung verwendet
• Kann für redundantes Dual-Element-Strommanagement verwendet werden
• Wird für Kompaktplatinen-Designs verwendet, die RoHS-Konformität erfordern
• Ideal für komplementäre Push-Pull-Signalstufen
• Wird mit Niederspannungs-Steuerlogik für die Gate-Ansteuerung verwendet
• Kann für redundantes Dual-Element-Strommanagement verwendet werden
• Wird für Kompaktplatinen-Designs verwendet, die RoHS-Konformität erfordern
Wie viele Transistorelemente sind auf dem Chip integriert?
Es enthält zwei Elemente, einen N-Kanal und einen P-Kanal.
Welche Pinanzahl und welches Gehäuse sollte ich im Leiterplatten-Layout planen?
Das Gerät verwendet eine 6-polige SOT-363-Grundfläche für die Oberflächenmontage.
Welchen extremen Temperaturen kann er während des Betriebs standhalten?
Der zulässige Betriebsbereich reicht von -55 °C bis 150 °C.
Ist das Gerät für Materialbeschränkungen geeignet?
Er erfüllt die RoHS-Materialanforderungen und ist entsprechend konzipiert.
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