Infineon IPW N-Kanal MOSFET Erweiterung 950 V / 17.5 A, 3-Pin TO-247

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-Halbleiterschalter, der für Leistungsschaltanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Gerät im Enhancement-Modus in einem TO-247-Gehäuse und ist für erweiterte Temperaturbereiche spezifiziert, wodurch er sich für anspruchsvolle elektrische Umgebungen eignet.

• Maximale Drain-Source-Spannung von 950 V bietet Hochspannungsschaltfähigkeit
• 17,5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützen eine hohe kontinuierliche Lastbelastbarkeit
• Der maximale RDS(on) von 310 mΩ reduziert Leitungsverluste in Hochspannungsstromkreisen
• Betrieb von -55 °C bis 150 °C ermöglicht eine breite thermische Beständigkeit
• Der Enhancement-Channel-Betrieb sorgt für eine vorhersehbare, gate-gesteuerte Schaltung

• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Ideal für industrielle Motor-Antriebsstufen
• Wird mit Hochspannungswechselrichter-Topologien verwendet
• Kann für die Stromumwandlung in der Unterhaltungselektronik verwendet werden
• Geeignet für robuste elektronische Baugruppen, die eine TO-247-Verpackung erfordern

Er wird in einem TO-247-Gehäuse geliefert, das die Wärmeableitung durch eine schraubbare Lasche erleichtert.

Das Gerät verwendet einen N-Typ-Kanal, der für den Betrieb im Enhancement-Modus konfiguriert ist.

Es ist nicht angegeben, dass die Qualifizierung nach dem Automobilstandard erfüllt wird.

Das Gerät ist für RoHS-konform erklärt, was auf die Beschränkung bestimmter gefährlicher Stoffe hinweist.

Die Komponente bietet drei elektrische Stifte für Gate-, Drain- und Quellanschlüsse.