Infineon IPW, Durchsteckmontage MOSFET 650 V / 211 A PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-3917
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R050CFD7AXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 211A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Serie | IPW | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 35mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 211A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Serie IPW | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 35mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS N-Kanal-Kfz-SJ-Leistungs-MOSFET CFD7A in TO-247-Gehäuse ist Teil der 650-V-Kfz-qualifizierten Produktfamilie CoolMOS SJ-Leistungs-MOSFET CFD7A. Im Vergleich zur vorherigen Generation bietet der CoolMOS CFD7A eine höhere Zuverlässigkeit und Leistungsdichte bei gleichzeitiger Erhöhung der Designflexibilität.
Effizienzverbesserungen in harten und weichen Schalttopologien bis zu 98,4 %
Eigene schnelle Gehäusediode mit 30 % geringerem Qrr im Vergleich zu CoolMOS CFDA
Skalierbar für den Einsatz in PFC- und DC/DC-Stufen
Granular-Portfolio erhältlich
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