Infineon IPW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 127 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 273-3026
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R099CFD7AXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- 273-3026
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R099CFD7AXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Serie | IPW | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 99mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 127W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AECQ101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Serie IPW | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 99mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 127W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AECQ101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon 650-V-Kühl-MOS-N-Kanal-Kfz-SJ-Leistungs-MOSFET in TO-247-Gehäuse. Er verfügt über die höchste Zuverlässigkeit im Feld, um die Anforderungen an die Lebensdauer in der Automobilindustrie zu erfüllen.
Ermöglichung von Designs mit höherer Leistungsdichte
Granular-Portfolio erhältlich
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