Infineon IPW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 21 A 114 W, 3-Pin PG-TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

152,01 €

(ohne MwSt.)

180,90 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 210 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 305,067 €152,01 €
60 +4,677 €140,31 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-3027
Herst. Teile-Nr.:
IPW65R115CFD7AXKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

IPW

Gehäusegröße

PG-TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

115mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

114W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

AECQ101, RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon Kfz-SJ-Leistungs-MOSFET im TO-247-Gehäuse ist Teil der Kfz-qualifizierten 650-V-Kühl-MOS-SJ-Leistungs-MOSFET-Produktfamilie CFD7A.

Ermöglichung von Designs mit höherer Leistungsdichte

Skalierbar, wie für den Einsatz in der PFC- und DC/DC-Stufe entwickelt

Granular-Portfolio erhältlich

Verwandte Links