Infineon IPW65R029CFD7XKSA1, THT MOSFET 700 V / 304 A PG-TO247-3

Der Infineon 650 V CoolMOS CFD7 Super Junction MOSFET im TO-247-Gehäuse ist ideal für Resonanztopologien in industriellen Anwendungen wie Server-, Telekommunikations-, Solar- und EV-Ladestationen geeignet, bei denen er erhebliche Effizienzverbesserungen im Vergleich zur Konkurrenz ermöglicht. Als Nachfolger der CFD2-SJ-MOSFET-Familie wird er mit einer reduzierten Gate-Ladung, einem verbesserten Abschaltverhalten und einer reduzierten Umkehr-Wiederherstellungsladung geliefert, die höchste Effizienz und Leistungsdichte sowie eine zusätzliche 50-V-Ausbruchspannung ermöglichen.

650 V Durchschlagsspannung
Signifikant reduzierte Schaltverluste im Vergleich zur Konkurrenz
Niedrigste RDS(on)-Abhängigkeit über Temperatur
Ausgezeichnete Robustheit bei schwerer Umschaltung
Zusätzlicher Sicherheitsabstand für Designs mit erhöhter Busspannung
Ermöglicht eine erhöhte Leistungsdichte