Teile-Nr.

Infineon BSV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / -1.5 A 81 W, 6-Pin US

RS Best.-Nr.:: 250-0561
Herst. Teile-Nr.:: BSV236SPH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon BSV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / -1.5 A 81 W, 6-Pin US

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RS Best.-Nr.:: 250-0561
Herst. Teile-Nr.:: BSV236SPH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	-1.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	BSV
	Gehäusegröße	US
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id -1.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie BSV
	Gehäusegröße US
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - BSV236SPH6327XTSA1

Infineons OptiMOS-P ist ein Small-Signal-Transistor mit P-Kanal im Enhancement-Modus. Der Super Logikpegel (2,5 V Nennspannung). Das Produkt ist Avalanche-getestet und dv/dt-fähig.

VDS ist 20 V, Rds(on) ist 175 mΩ und Id ist 1,5 A

150 °C Betriebstemperatur

Maximale Verlustleistung ist 560 mW

Infineon BSV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / -1.5 A 81 W, 6-Pin US

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