Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 0.23 A 81 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
250-0555
Herst. Teile-Nr.:
BSS306NH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.23A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

BSS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-Enhancement-Modus- Small-Signal-MOSFET-Transistor von Infineon findet breite Anwendung in Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei. Dieser Baustein ist ein OptiMOS 2, Small-Signal-Transistor. Der Logikpegel (4,5 V Nennspannung) und die Avalanche-getestet. Das Produkt ist zu 100 % bleifrei und halogenfrei.

N-Kanal, Enhancement-Modus

Logikpegel 4,5 V Nennleistung

Maximale Verlustleistung ist 500 mW

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