Infineon BSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 0.28 A 81 W, 3-Pin SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 250-0541
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS138WH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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| 3000 - 3000 | 0,051 € | 153,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,048 € | 144,00 € |
| 15000 + | 0,046 € | 138,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 250-0541
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS138WH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.28A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | BSS | |
| Gehäusegröße | SOT-323 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.28A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie BSS | ||
Gehäusegröße SOT-323 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineons SIPMOS Small-Signal-Transistor, N-Kanal, Enhancement-Modus. Das Gerät ist dv /dt-zertifiziert und hat eine Pb-freie Bleibeschichtung. Das Produkt hat eine Vds von 60 V, ein Rds(on)max von 3,5 Ω und ein Id von 0,28 A. Es handelt sich um einen halogenfreien P-Kanal-Transistor im Enhancement-Modus, der häufig in Anwendungen mit hohem Schaltvermögen eingesetzt wird. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei.
100 % bleifrei
Maximale Verlustleistung: 360 mW