Infineon BSS209PWH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 630 mA, 3-Pin SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 250-0553
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS209PWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
8090 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
0,055 €
(ohne MwSt.)
0,065 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,055 € | 165,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,052 € | 156,00 € |
| 15000 + | 0,05 € | 150,00 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 250-0553
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS209PWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der P-Kanal-Transistor mit Enhancement-Modus von Infineon wird häufig in Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz eingesetzt. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei. Dieser Baustein ist ein OptiMOS-P Small-Signal-Transistor mit einem Superlogikpegel von 2,5 V (Nennleistung). Die Betriebstemperatur beträgt 150 °C. Das Produkt ist Avalanche- und dv/dt-getestet. Das Produkt ist Pb-frei mit Bleibeschichtung und halogenfrei.
VDS ist -20 V, RDS(on), Max. 550 mΩ und Id ist -0,63 A
Maximale Verlustleistung ist 500 mW
Maximale Verlustleistung ist 500 mW
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 630 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
| Gehäusegröße | SOT-323 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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