Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 0.28 A 81 W, 3-Pin BSS209PWH6327XTSA1 SOT-323

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Herst. Teile-Nr.:
BSS209PWH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.28A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOT-323

Serie

BSS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der P-Kanal-Transistor mit Enhancement-Modus von Infineon wird häufig in Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz eingesetzt. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei. Dieser Baustein ist ein OptiMOS-P Small-Signal-Transistor mit einem Superlogikpegel von 2,5 V (Nennleistung). Die Betriebstemperatur beträgt 150 °C. Das Produkt ist Avalanche- und dv/dt-getestet. Das Produkt ist Pb-frei mit Bleibeschichtung und halogenfrei.

VDS ist -20 V, RDS(on), Max. 550 mΩ und Id ist -0,63 A

Maximale Verlustleistung ist 500 mW

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